AI狂飙下的存储芯片的国产突？围战（二）,国产存储芯片企业排名

更新时间：2026-01-21 18:05 来源：牛马见闻

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�从DDR4到DDR5/LPDDR5�DDR4 DRAM产品�16GB DDR4内存条价格

文|钱眼君 来源|博望？财经 本篇涉及到的主要名词解释[： DDR：双倍速率同步动态随机存储器，主要应用在个人计算机、服务器上；LPDDR为Low Power DDR，主要应用于移动端电子产品；DDR/LPDDR为DRAM目前应用最广的类型，两者合计占DRAM应用比例约为90%。从DDR1到DDR5演变看，DDR的能耗越来越低，传输速度越来越快、存储容量也越来越大。 HBM：高带宽存储器High Bandwidth Memory，简称HBM，是超微半导体和SKHynix发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发设备，如路由器、交换器等。 穿过当下沸腾的喧嚣，我们看到存储产业正处在一个罕见的“三重共振”节点上： 首先从技术层面看，从2D到3D NAND，从DDR4到DDR5/LPDDR5，再到HBM，技术代际切换清晰。 第二，在需求层面，AI引爆的“超级周期”创造了结构性需求暴涨，且持续时间可能长达数年。 第三，从供给角度看，国际巨头为追逐AI高端市场利润，主动让出中端产能，造成历史性供给缺口。 基于以上三点，笔者认为中国本土存储厂商将迎来前所未有的战略机遇期，我们具体分析： 01 超级周期的内核：AI重塑下的产业链博弈 在《上篇》理解了存储行业历史背景与现状后，我们得以更清晰地透视当前“超级周期”的本质，即它并不是传统的供需错配，而是由技术代际更替，即AI算力革命驱动的、对全球存储产业链格局的一次深度重塑与利益再分配—— 1、需求侧的“核裂变”：从消费电子到AI基础设施 驱动力的根本性转变，是此轮周期的核心特征，包括两个方向： 一是存储类产品价格已进入上行周期。NAND价格历来呈现剧烈的周期性波动。2017年达到峰值后，因供应过剩和需求疲软，价格持续下跌至2022年，并于2023年跌至多年低点。2024年的反弹是自2017年以来最强劲的复苏。 此外，DDR4 DRAM产品虽已逐步退出主流产能，但供应短缺仍导致价格加速上涨。据权威媒体2025年12月报道，16GB DDR4内存条价格较去年同期涨幅超过200%。 图：DRAM现货平均价格--ifinD资讯、大同证券 DDR5合约价预期季度涨幅达30%-50%。在消费电子、企业级SSD、汽车电子等领域，存在着对高性价比、稳定供应产品的强烈需求。另外，当前国内各大云计算厂商（阿里云、腾讯云等等）对于AI投入不遗余力，内存方面的年采购规模超千亿元，同时为保障供应链的持续和稳定，也持续加大对国产芯片的采购比例。这些现象均显示，不仅是单个产品类别的上涨，而是整个存储产业的上行趋势正在逐渐成形。 二是存储芯片的角色，正从原来智能手机、PC等消费电子的“成本部件”，升级为AI数据中心和算力设施的“战略核心模块”。这一转变伴随着需求量和价值量的双重跃升，一个是量级跃升，一台AI服务器对DRAM和NAND的需求量，分别约为普通服务器的8倍和3倍。一个具有代表性的例子是，2025年10月，OpenAI提出的“星际之门”计划，一次性就锁定了每月高达90万片DRAM晶圆的供应，这一家的需求量就相当于全球产量的40%。 另一个是价值重构。同等规格的LPDDR5 DRAM，用于AI服务器的价格可达消费电子类产品的1.5倍。TrendForce预计，到2026年，AI与服务器应用将占据DRAM总产能的66%，并带动整体营收飙升56%……这种“核裂变”式的需求增长，迫使产业链上游重新思考资源分配逻辑。 2、供给侧的战略抉择：巨头的决定 面对利润丰厚的AI高端市场（如HBM、高频DDR5），三星、美光、SK海力士三大巨头做出了近乎一致的、利润最大化的两项战略倾斜：一方面是产能聚焦，将先进制程产能大规模转向HBM、DDR5等高端产品。另一方面是主动收缩，甚至完全停产DDR4、DDR3等前代产品线。 图：证券时报相关报道 从时间轴来看，存储芯片最早是从2025年4月开始提价，当时三星率先宣布将逐步停止生产DDR4内存颗粒，从而专注于生产更高端、利润更高的DDR5、LPDDR5和HBM内存。此后SK海力士也开始逐步减少DDR4产能，计划将其产能压缩至20%左右。美光更是在近期宣布退出旗下Crucial（英睿达）品牌的消费级业务…… 收缩战略的后果，是人为制造了一个巨大的“中端市场供给缺口”——巨头们奔向下一个“金矿”，却留下了广阔的“腹地”。这直接导致了消费电子、传统数据中心、汽车电子等领域的客户，面临前所未有的供应不确定性和成本压力，供应安全的焦虑前所未有。 3、产业链模式的分化与演进 在这场变局中，产业链的组织模式也在动态调整。传统的IDM模式下（如三星、美光等国际巨头）凭借对设计、制造、封测全链条的掌控，能最大程度保障高端产品的供应和利润。这种模式资本壁垒极高，几乎没有快速“超车”的可能。对于后发者，特别是中国厂商，发展路径则呈现多样性。初期多以轻资产的Fabless、Foundry等模式切入市场。但随着规模壮大和对自主可控的追求，部分国产核心企业已逐步走向IDM模式，以掌控核心技术命脉。与此同时，像江波龙这样的企业，还探索出了TCM（技术合约制造）与 PTM（产品技术制造）双模式，在产业链特定环节构筑深度和灵活性，快速响应本土化定制需求。 “超级周期”的本质，是一次全球存储产业价值链的剧烈重构。AI需求在产业链顶端创造了一个高利润的“引力奇点”，吸引了绝大多数顶级产能，却在下方撕裂出一个巨大的市场空间。这个空间，正是国产力量实现规模突破和生态构建的关键战场。 02 国产突围：在机遇与挑战中爬坡上行 站在历史性的机遇窗口前，中国本土存储产业已不再是旁观者，而是具备了技术、产能和产业链协同能力的核心参与者。 国产力量的崛起，正依托于“天时、地利、人和”汇聚而成的独特势能。天时，是AI“超级周期”所创造的历史性时间窗口——国际巨头为追逐高端利润而主动让出的中端供给缺口与价格空间，为国产芯片提供了宝贵的客户导入与产能爬坡期，这一窗口可能持续数年，是确立市场地位的黄金时期。 地利，则源于中国庞大且层次丰富的内需市场：消费电子中端机型的配置升级、云计算巨头（如阿里云、腾讯云）为保障供应链安全而持续加大的千亿级本土采购、以及智能汽车（尤其是L3+自动驾驶）对存储需求的十倍级增长，共同构成了国产芯片替代的坚实土壤和天然试验场。 人和，体现在关键技术的突破与产业生态的初成——国产厂商的最新技术在主流赛道已实现“并跑”；与此同时，从材料设备、芯片设计到模组封测的本土协同网络正在加速形成。 然而，这些优势并不能自动转化为胜势，通往全球领先的道路上依然关卡重重。国产厂商首要的挑战是技术追赶的持久战，在最前沿的HBM等领域，国际巨头已竞逐至HBM4并采用更先进制程，技术迭代极快，本土厂商存在代际差距，需要持续投入巨量研发，就仿佛在向一个陡峭的山坡上奋力前行——抬头，新的技术目标已可看见；回头，过往突破的喜悦已悄然不见。追逐最新技术，是一条荆棘丛生、只能向前走的漫长路。 更深层的考验在于规模与成本的生死线。存储行业是典型的规模经济，国际巨头的“游戏规律”是，巨量投入研发占领技术高地、完善产业链，实现量产后迅速占领市场，然后凭借全球市占率摊薄天文数字的研发与制造成本，再投入巨量成本投入新技术的研发，一刻不停，没有最卷只有更卷。本土厂商在产能爬坡期将长期面临严峻的成本竞争压力。 而更深远且复杂的挑战，则来自生态与标准的全球博弈。存储芯片是高度标准化的全球性产品，要真正融入乃至影响全球供应链、获得国际主流认证、参与下一代标准制定，是比单纯技术突破更复杂、更长期的系统性工程，地缘政治因素更为此增添了诸多不确定性。 国产存储的崛起，绝非一场轻松的替代，而是一场需要在技术研发、产能扩张、市场开拓、生态建设和全球合规等多条战线上同步推进、不容有失的“立体战争”。当前，国内存储领域的公司主要有哪些，他们的表现如何呢？我们在下篇中继续分析。

编辑：戚砚笛